格创·TSV先进封装生产基:地打造半导体先进封装技术新高地
格创·TSV先进封装生产基地
打造半导体先进封装技术新高地格创·TSV先进封装生产基地,作为行业领先的TSV立体集成科研生产基地,
正在珠海高新区崛起,
为半导体产业发展注入强劲动力。
格创·TSV先进封装生产基地
项目概况
格创·TSV先进封装生产基地项目用地面积约10.06万㎡,
计容建筑面积18.59万㎡,
是一个规模宏大的半导体产业项目。
投资规划
7.83亿一期投资额计容建面9.07万㎡5.25亿二期投资额计容建面9.52万㎡
项目分两期建设,
一期投资7.83亿元,建设计容面积9.07万㎡;
二期投资5.25亿元,建设计容面积9.52万㎡。
总投资额达13.08亿元。
技术优势
技术水平国际先进产品类型多元化覆盖3D TSV立体集成覆盖2.5D系统集成发展目标
格创·TSV先进封装生产基地未来将打造成为
国内半导体中道技术及立体集成技术产业高地,
为我国半导体产业发展贡献力量。

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